Name: Samsung DRAM 64GB DDR4 LRDIMM 3200MHz, 1.2V, (DDP4Gx4)x36, 4R x 4 M386A8K40DM2-CWE
Brand: Samsung
SKU: M386A8K40DM2-CWE

Главная

Компьютерное оборудование

Комплектующие для ПК

Оперативная память

Память серверная (ECC, ECC Registered, Fully Buffered)

Samsung DRAM 64GB DDR4 LRDIMM 3200MHz, 1.2V, (DDP4Gx4)x36, 4R x 4 M386A8K40DM2-CWE

Артикул:M386A8K40DM2-CWE
Код товара:626380500

масса(кг):0.09

Количество чипов на модуле:-

Габариты (мм):-

rusName:[Модуль памяти] Samsung DRAM 64GB DDR4 LRDIMM 3200MHz, 1.2V, (DDP4Gx4)x36, 4R x 4 M386A8K40DM2-CWE

Расширенная операционная температура (Tcase):85 °C

Линейка:Нет

сайт производителя:http://www.samsung.com/

Потребление энергии:-

Количество модулей в комплекте (шт):1

Пропускная способность (МБ/с):25600

Все характеристики

Под заказ (запрашивайте)

23 240 ₽0 ₽

Товара не оказалось в наличии?
Подпишитесь на уведомление о поступлении!

f7b3a98e9aae42549eec0f21dac58475

Память M386A8K40DM2-CWE от Samsung

масса(кг)

0.09

Количество чипов на модуле

Габариты (мм)

rusName

[Модуль памяти] Samsung DRAM 64GB DDR4 LRDIMM 3200MHz, 1.2V, (DDP4Gx4)x36, 4R x 4 M386A8K40DM2-CWE

Расширенная операционная температура (Tcase)

85 °C

Линейка

Нет

сайт производителя

http://www.samsung.com/

Потребление энергии

Количество модулей в комплекте (шт)

Пропускная способность (МБ/с)

25600

Производитель

Samsung

Вес (грамм)

Поддержка ECC

Есть

гарантия

1 год

ширина(см)

Высота (мм)

Тип модуля

DIMM

Поддержка водяного охлаждения

Нет

CAS Latency (CL)

Радиатор

Нет

Низкопрофильная

Нет

Производитель

Samsung

Количество контактов

288

Подсветка

Нет

длина(см)

описание

Память M386A8K40DM2-CWE от Samsung

Row Precharge Delay (tRP)

Дополнительная информация

manufacturerCountry

КОРЕЯ, РЕСПУБЛИКА

Модель

M386A8K40DM2-CWE

Объем одного модуля (ГБ)

Напряжение (В)

1.2

название

Samsung DRAM 64GB DDR4 LRDIMM 3200MHz, 1.2V, (DDP4Gx4)x36, 4R x 4 M386A8K40DM2-CWE

высота(см)

0.2

RAS to CAS Delay (tRCD)

GTIN

00000000000000

gtdNumber

10005030/121022/3276015

Тайминги

Тип оборудования

Оперативная память

Поддержка Reg

Есть

Чип

Частота (MHz)

DDR3 - 3200

Общий объем памяти (ГБ)

Activate to Precharge Delay (tRAS)

Нормальная операционная температура (Tcase)

75 °C